EFFECT OF CHEMICAL PROCESSING ON THE SURFACE AND CHARACTERISTICS OF SEMICONDUCTORS TYPE A3B5
Анотація
The effect of chemical treatment of a surface disturbed layer on the current-voltage characteristics of forward and reverse currents and on the photoelectric properties of p-n junctions based on GaAs is studied. Surface treatment of A3B5 semiconductors was carried out by applying an aqueous solution of sodium sulphide. The analysis of the work showed that such processing of the data of p-n junction leads to a decrease in the rate of surface recombination, and, accordingly, to a decrease in the forward and reverse currents.
Keywords: semiconductors; p-n junctions; sulphur atoms; passivation; surface; recombination velocity; spectral; forward and reverse current.
Богдан О. В., кандидат фізико-математичних наук Тарасевич Д. В., Шугарова В. В. Вплив хімічних обробок поверхні на характеристики напівпровідників типу A3B5 / Одеська державна академія будівництва та архітектури, Україна, Одеса; Фізико-хімичний інститут захисту навколишнього середовища і людини МОН та НАН України, Одеса, Україна
Досліджено вплив хімічної обробки поверхневого природного оксидного шару на вольт-амперні характеристики прямого та зворотного струмів, а також на фотоелектричні властивості p-n переходів на основі GaAs. Обробка поверхні напівпровідників типу А3В5 проводилась за допомогою нанесення на неї водного розчину сульфіду натрію. Аналіз роботи показав, що дана обробка таких p-n переходів суттєво зменшує щільність поверхневих станів, а отже, і зменшує швидкість поверхневої рекомбінації, і відповідно, зменшує прямий та зворотний струми в напівпровіднику.
Ключові слова: напівпровідники; p-n перехід; атоми сірки; пассивація; поверхня; рекомбінаційна швидкість; спектр; прямий та зворотний струми.
Богдан О. В., кандидат физико-математических наук Тарасевич Д. В., Шугарова В. В. Влияние химических обработок поверхности на характеристики полупроводников типа A3B5 / Одесская государственная академия строительства и архитектуры, Украина, Одесса; Физико-химический институт защиты окружающей среды и человека МОН и НАН Украины, Одесса, Украина
Исследовано влияние химической обработки поверхностного нарушенного слоя на вольт-амперные характеристики прямого и обратного токов, а также на фотоэлектрические свойства p-n переходов на основе GaAs. Обработка поверхности полупроводников типа А3В5 проводилась с помощью нанесения на нее водного раствора сульфида натрия. Анализ работы показал, что такая обработка данных p-n переходов приводит к уменьшению скорости поверхностной рекомбинации, и соответственно, к уменьшению прямого и обратного токов в полупроводнике.
Ключевые слова: полупроводники; p-n переход; атомы серы; пассивация; поверхность; рекомбинационная скорость; спектр; прямой и обратный токи.
Повний текст:
PDFПосилання
References:
Bessolov V. N. Chalcogenide passivation of III-V semiconductor surface (a review)/ V. N. Bessolov, M.V. Lebedev // Physics And Technology Of Semicondactors. – 1998. – vol. 32, № 11– p. 1281-1289.
Henry C. H. The effect of surface recombination on current in AlxGa1-xAs geterojunctions/ C. H. Henry, R.A. Logan, F.R. Merrit // Journal of applied physics. – 1978. – vol. 49 – p. 3530.
Lebedev M. V. Adsorption of solvated hydrosulfide ions at GaAs(100) surface: Role of solvent in the surface structure modification / M. V. Lebedev, Th. Mayer, W. Jaegermann // Physics And Technology Of Semicondactors. – 2004. – vol. 38, № 2 –p. 156-163.
Lebedev M. V. Valence band photoemission, band bending, and ionization energy of GaAs(100) treated in alcoholic sulfide solution / M. V. Lebedev, M. Aono // Journal of applied physics. – 2000, – vol. 87, – p. 289.
Bogdan O. Sulphur activation of p-n junctions on GaAs as gas sensors/ O. Bogdan, O. Ptashchenko, F. Ptashchenko, N. Masleyeva // Visnyk Lviv Univ. - Ser. Physics. – 2010. - is. 45.- p. 177-181.
Посилання
- Поки немає зовнішніх посилань.
Цей твір ліцензовано за ліцензією Creative Commons Із зазначенням авторства 4.0 Міжнародна.
